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新聞動(dòng)態(tài)

 
鈦酸銅鈣的保存及使用
 

 

    鈦酸銅鈣--CaCu3Ti4O12化合物(簡稱CCTO)為鈣鈦礦立方晶系結(jié)構(gòu)。它在高密度能量存儲(chǔ)、薄膜器件(如MEMS、GB-DRAM)、高介電電容器等一系列高新技術(shù)領(lǐng)域中獲得廣泛的應(yīng)用。如:

 
   (1)CaCu3Ti4O12具有的良好的綜合性能,使其在高密度能量存儲(chǔ)、薄膜器件(如MEMS、GB-DRAM)、高介電電容器等一系列高新技術(shù)領(lǐng)域中獲得廣泛的應(yīng)用。


   (2)CaCu3Ti4O12可用于電容器、電阻器、新能源電池行業(yè)。

 
   (3)CaCu3Ti4O12可應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體,即DRAM。 

   (4)CaCu3Ti4O12可用于電子、新型電池、太陽能電池、新能源汽車電池行業(yè)等。 


   (5)CaCu3Ti4O12可用于高端航天電容、太陽板等。


    鈦酸銅鈣--CaCu3Ti4O12化合物(簡稱CCTO)為鈣鈦礦立方晶系結(jié)構(gòu)。最近文獻(xiàn)報(bào)道了CaCu3Ti4O12具有反常的巨介電常數(shù)(ε≈104-105)和極低的損耗(tgδ≈0.03),特別是在很寬的溫區(qū)范圍內(nèi)(100-400K)介電常數(shù)值幾乎不變,反映了介電響應(yīng)的高熱穩(wěn)定性。且不需要特殊的制造過程,燒結(jié)溫度也不高,約為1000℃~1100℃上下,是一般介電材料(鈦酸鉛)難以達(dá)到的性質(zhì)。這些良好的綜合性能,使其有可能成為在高密度能量存儲(chǔ)、薄膜器件(如MEMS、GB-DRAM)、高介電電容器等一系列高新技術(shù)領(lǐng)域中獲得廣泛的應(yīng)用。


    可是該類材料較大的反常還在于冷卻到100K以下介電常數(shù)發(fā)生急劇下降(ε≈100),X射線衍射(XRD)、拉曼散射和中子衍射分析表明即使冷卻到35K也沒有觀察到任何長程結(jié)構(gòu)上的相變。XRD分析表明該特性有悖于鐵電性局域極矩合作有序化所作的解釋。以上這些特性至今也沒有令人信服的解釋。所以搞清這類材料的巨介電特性、高的熱穩(wěn)定性以及在100K以下的反常下降機(jī)理具有重要的理論和實(shí)用意義。

 

 

 

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